DS1265W-150 备选型号: IS62WV51216BLL-55TLI
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- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 端子间距
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 资历状况
- 电源
- 内存大小
- 操作模式
- 电源电流-最大值
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 待机电流-最大值
- 记忆密度
- 访问时间(最大)
- 电压 - 供电 (最大值)
- 电压 - 供电 (最小值)
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- Current - Supply (Nom)
- 端口的数量
- 输出特性
- 地址总线宽度
- 密度
- 最高频率
- I/O类型
- 同步/异步
- 字长
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIPNO36-DIP Module (0.610, 15.49mm)通孔36Non-Volatile2004Tube0°C~70°Ce3yesObsolete1 (Unlimited)363A991.B.2.AMatte Tin (Sn)8473.30.11.403V~3.6VDUAL未说明12.54mmnot_compliant未说明R-XDMA-P36不合格3.3V8Mb 1M x 8ASYNCHRONOUS0.05mANVSRAMParallel1MX88150ns0.00015A8388608 bit150 ns3.6V3VROHS3 Compliant----------------
- SRAM Chip Async Single 3.3V 8M-Bit 512K x 16 55ns 44-Pin TSOP-IIYES44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)表面贴装44Volatile-Tray-40°C~85°C TAe3yes活跃3 (168 Hours)44-Matte Tin (Sn) - annealed-3.3VDUAL26010.8mm-40---8Mb 512K x 16--SRAMParallel--55ns0.00002A-55 ns3.6V2.5VROHS3 Compliant8 Weeks5mA13-STATE19b8 Mb18MHzCOMMONAsynchronous16b1.05mm18.52mm10.29mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS62WV51216BLL-55TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | SRAM Chip Async Single 3.3V 8M-Bit 512K x 16 55ns 44-Pin TSOP-II | 对比 | |
| CY7C1051DV33-10ZSXI | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | CYPRESS SEMICONDUCTOR CY7C1051DV33-10ZSXI SRAM, 8MBIT, PARALLEL, 10NS, 44TSOP | 对比 | |
| CY7C1059DV33-10ZSXI | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II | 对比 |



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